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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
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中氮茚环是富电子的，主要发生亲电取代，活性与吲哚相仿，优先在 C-3 进行，但也有可能在 C-1 上。中氮茚不与亲核试剂作用，也一般不能发生卤素的亲核置换反应。
中氮茚及其简单烷基衍生物对光敏感，在空气中容易被氧化，导致环系被破坏。
2-烷基吡啶与 α-卤代酮发生季铵化作用，生成的 α-甲基吡啶盐在碱作用下关环，得到中氮茚。
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2012年夏季奥林匹克运动会田径比赛的男子撑竿跳高项目于2012年8月8日至8月10日在伦敦伦敦奥林匹克体育场举行。
在预赛，各位选手会不断试跳直到她们达到指定高度或者被淘汰。如果选手到达指定高度会直入决赛。如果少于12名选手到达指定高度则前12名选手会进入决赛。每位选手在每个高度都会有三次试跳。
到达指定高度：5.70公尺 (Q) 或者前12名选手 (q)
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