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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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维勒福尔的现任市长为阿兰·拉丰先生（Alain Lafont），他是一名左翼无党派人士，在2020年的市政选举中获得了100%的支持率（无其他候选人）。
在2017年的法国总统大选中，法国第25任总统埃马纽埃尔·马克龙在维勒福尔获得了60.84%的支持率。
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桑福德·“桑迪”·H·卡迪什（Sanford "Sandy" H. Kadish，1921年9月7日 －2014年9月5日）是一位美国法律学者，他的专长是犯罪学与刑法理论，是美国模范刑法典的编撰者之一。
桑福德·卡迪什1921 年出生于纽约市，成长于布朗克斯，他毕业于纽约市立大学，之后就读科罗拉多州的日语学校。
第二次世界大战期间，他进入美国海军服役，于一艘驱逐舰上担任翻译日本军事文件的军官，直至1946年退伍。桑福德·卡迪什于1948年在哥伦比亚法学院获得法学学位，在那段时间里，他师从对他的职业生涯和学业产生影响的赫伯韦克斯勒教授和沃尔特盖尔霍恩教授。 之后在纽约执业。1951年，他进入犹他大学法学院教书十年，1961年， 他转入密西根大学教书，之后，他于1964年加入加州大学伯克利分校法学院，直到1999年退休。他于1975年至1982年担任加州大学伯克利分校法学院院长。
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