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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。

20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。

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仁勇路（Renyong Rd.）为高雄市仁武区的东西向道路，东起于凤仁路口，西止于文前路口，是往来仁武区及鸟松区的重要道路，也是澄清湖周边地区的重要联外道路。

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3月19日，石墙杰克森率其南军往雪伦多亚河谷迎战南侵之北军，至史特拉斯堡遭遇并攻击詹姆斯·谢尔德兹(James Shields)准将之北军。北军撤退。

自北军大败于皇家前线一役后，班克斯于5月24日率北军从史特拉斯堡撤退，途中遭南军5,000至6,000人截击。北军抵不住南军一波接一波的攻势而遗散。

6月1日的暴风夜使驻于史特拉斯堡的南军疏于防范，贝阿德之北军骑兵趁机突袭此地，击溃南军的后防。南军主力匆匆组织防卫并一直后撤，5日，南军撤退中途毁去一桥，以防其余北军支援追击。6日，南军将领Ashby阵亡。大雨使北军中止追击。

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