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中国铁路202型转向架是中国于1950年代末研制的准轨客车转向架，它是由青岛四方机车车辆厂和一机部机车车辆研究所于1957年开始草图设计，由青岛四方机车车辆厂于1958年试制成功，经过试验和修改后于1959年投入批量生产，随后长春客车厂亦于1960年开始生产该型转向架，至1988年停产为止共生产了超过20,000辆份，被大量用于中国铁路22型客车、23型客车，此后便改用206系列、209系列转向架。
202型转向架是在201型转向架的基础上，参考苏联铁路KVZ-5型转向架而设计的无导框式C轴客车转向架，主要特点为采用H型铸钢构架、导柱式轴箱定位装置、摇动台式摇枕弹簧悬挂装置、摇枕圆弹簧带油压减震器，基础制动装置采用吊挂式闸瓦制动，部分转向架设有三角皮带传动的轴端直流发电机，用于向车内照明和通风等用电负载供电，并向蓄电池充电。
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高纯度的半导体级多晶硅在一个坩埚（通常是由石英制成）中被加热至熔融状态。诸如硼原子和磷原子的杂质原子可以精确定量地被掺入熔融的硅中，这样就可以使硅变为P型或N型硅。这个掺杂过程将改变硅的电学性质。将晶种（或称“籽晶”）置于一根精确定向的棒的末端，并使末端浸入熔融状态的硅。然后，将棒缓慢地向上提拉，同时进行旋转。如果对棒的温度梯度、提拉速率、旋转速率进行精确控制，那么就可以在棒的末端得到一根较大的、圆柱体状的单晶晶锭。通过研究晶体生长中温度、速度的影响，可以尽量避免不必要的结果。上述过程通常在惰性气体（例如氩）氛围中进行，并采用坩埚这种由较稳定的化学材料制成的反应室。
为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
在柴氏法中，工作腔（坩埚）被加热到大约1500摄氏度，这将使硅（熔点：1414摄氏度）熔化。当硅完全熔化时，末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转，坩埚以顺时针方向旋转。随后，旋转的棒被极慢地向上提升，这样，近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉，晶棒的长度可以达到1至2米，这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。
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