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通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。

使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。

然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。

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圣安得烈座堂（圣アンデレ主教座圣堂，St. Andrews Cathedral）是日本圣公会东京教区的座堂，由加拿大籍传教士亚历山大·克罗夫多·萧（Alexander Croft Shaw）于1879年设立380，座堂现在的建筑是于1996年改建启用。该教区是日本圣公会的11个教区之一，教区内有超过40座教堂，其中多数的历史可以追溯至19世纪后期。

明治天皇在1873年（明治6年）宣布废除对基督教的禁令（高札撤去）后，英国英国圣公会差会（SPG）派遣加拿大籍传教士亚历山大·克罗夫多·萧（Alexander Croft Shaw）和爱尔兰籍传教士威廉·波尔·怀特（William Ball Wright）9月来日传教。二人初抵日本时寄居于福泽谕吉家中，并在东京筑地开设英语私塾（立教学院前身）。后于1875年在灵南坂阳泉寺开始为在日英国人举行弥撒，以及正式对日本人进行传教。萧氏在福泽谕吉协助下于1877年购入现在教会所在的芝荣町（今芝公园三丁目）土地自设居所。其后于1879年6月4日萧氏在购得用地内以红砖筑成圣堂，俗称「公使馆教会」，提供东京在住的英国人英语弥撒和以日本人为对象的日语弥撒。该红砖建筑兴建资金大部份是来自在东京居住的外国人捐助所得149，由经手工部大学校的英籍法裔建筑师チャールズ・アルフレッド・シャストール・ド・ボアンヴィル设计150。其及后于1894年东京地震中损坏，礼拜堂于翌年以临时木造建筑继续运作。1886年，爱德华·别克司蒂（Edward Bickersteth）主教来日筹组日本各地教会整合事宜，翌年以圣安得烈教堂为首组建「日本圣公会」。另外，萧氏在主教来日后曾多次前往轻井泽，期间在当地成立教会并另辟避暑别庄，被誉为「轻井泽之父」。1902年，萧氏殁后由今井寿道接任牧师，日本人信众专用圣堂也于同年落成，缓和教堂不敷使用的情况。

1940年，《宗教团体法》实行，各宗教团体被要求整合并向国家主义倾斜，圣安得烈教会更名为「芝圣公教会」。1902年落成的圣堂在1944年的东京大空袭中烧毁。二战后以野濑秀敏为首的圣职与信众展开教堂的复原运动，并在圣堂原址信众提供的戸外仓库作为礼拜堂复办弥撒。1948年，圣堂暂移至由水交社赠与的车库改造而成临时礼拜堂兼集会所。圣堂的新建筑在各方援助下于1949年落成，并于翌年祝圣。1956年，英语专用的礼拜堂（现圣奥本教堂，St. Alban's Chruch）落成后，圣安得烈教堂停止举行英语弥撒。1986年，圣安得烈座堂正式并入日本圣公会东京教区。

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