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* 2002年6月14日：比利时 3 - 2 俄罗斯
* 2002年6月21日：巴西 2 - 1 英格兰
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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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祝品，字公叙，号晓溪，浙江衢州府龙游县立德乡人，民籍。明朝进士、官员。
正德五年（1510年）庚午科浙江乡试举人，九年（1514年）甲戌科二甲第八十三名进士，授刑部主事，明武宗久不视朝，每日嬉游西苑，祝品与同僚应大猷、田登、范时儆等人上书切谏，被逮入狱，不久诏令释放，京师号为七义士。历官刑部山东司署员外郎事主事，嘉靖二年（1523年）二月升广东按察司佥事，五年正月考察以不谨闲住，诏仍留供职，责以后功。六年七月升广西按察司副使，十月调任广东提学副使，不久礼部尚书桂萼上言改别处任用，遂由湖广副使萧鸣凤接任提学，祝品改任巡海道，晋福建左参政，乞休归乡。
子祝尔介，进士，太和县知县；祝尔庆，举人，凤阳府同知。
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