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伦以训，字彦式，号白山，广东南海黎涌（今佛山澜石黎涌村）人，明朝政治人物，正德丁丑榜眼及第。
状元伦文叙次子。广东乡试第六名举人。正德十二年（1517年）丁丑科会试第一，登进士第一甲第二名。授翰林院编修，养病。嘉靖三年（1524年）八月病愈，复除原职，四年（1525年）六月以《武宗实录》修成，升任翰林院修撰，八年四月充《大明会典》纂修官，两次出任会试同考官。十三年三月升右春坊右谕德，七月充应天府乡试考试官，十四年十一月官至南京国子监祭酒。因母老乞养，卒于家乡。
曾祖父伦敔；祖父伦明，封翰林院修撰；父伦文叙，曾任右春坊右谕德兼翰林院侍讲。母区氏（封安人）。
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寿福钢（9月），浙江绍兴籍，出生于上海。经济学家寿进文幼子。中华人民共和国企业高管。
1984年7月毕业于复旦大学，获政治经济学学士学位。1987年7月获得复旦大学政治经济学硕士学位，其后于2004年5月获得由美国西北大学及中国香港科技大学联合颁发的工商管理硕士学位。1987年7月加入交通银行工作，自2007年7月起为交通银行香港分行行政总裁、自2007年9月起为交通财务有限公司行政总裁、自2010年11月起为中国交银保险有限公司董事长。2015年当选香港上海金融企业联合会会长、2016年10月调任交银国际控股有限公司非执行董事。自2017年4月起为交通银行(香港)有限公司董事长。
2021年9月12日，寿福钢被曝在香港西贡区失踪。其尸体于9月17日后在香港西贡担柴山附近被寻回。
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欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。
任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level，或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。接触金属和半导体具有不同的功函数，分别记为和。当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高Fermi level）一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低功函（高Fermi level）的材料将带有少量正电荷而高功函（低Fermi level）材料则会变得具有少量负电荷。最终得到的静电势称为内建场记为。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和热电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。
在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，当中是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，其中是禁带宽度，e是基本电荷。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算:
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