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更新于 2026-10-27

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兰州,中国古代设置的一个州,治所在今甘肃省兰州市。

隋文帝开皇三年(583年),因金城郡城南有皋兰山,改金城郡为兰州,置兰州总管府,治所在子城县(后改为金城县、五泉县,今甘肃省兰州市)。大业三年(607年),改兰州为金城郡。管理今兰州市、临洮县等地。唐朝武德二年(619年)复置兰州。辖境相当于今兰州市附近。天宝、至德年间一度改为金城郡。宝应元年(762年),兰州被吐蕃所占。大中二年(848年),张义潮收复陇右十一州,不久又被党项族占据。

北宋元丰年间,恢复兰州,管理今兰州市、榆中县等地。元朝属于陕西行省。明代洪武年间为兰县。成化年间恢复兰州,不辖县,属于陕西承宣布政使司。兰州隶属临洮府,兰州卫属陕西都指挥使司。清朝康熙五年(1666年),陕甘分治,设甘肃行省,省会定于兰州,兰州自此成为甘肃的政治中心。乾隆三年(1738年),临洮府治由狄道移至兰州,改称兰州府;设皋兰县为治所,管理今兰州市、榆中县、临洮县、靖远县、渭源县、临夏市。

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闸极驱动器(gate driver)是一种功率放大器,可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体(例如IGBT或是power MOSFE)的闸极。闸极驱动器可能是附在功率晶体上,也有可能是独立的元件。闸极驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。

MOSFET和双极性晶体管不同,MOSFET在没有切换(切换导通或是切换关断)时,不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器(闸极电容),在每一次切换导通或关闭时,会需要充电或放电。电晶体的基极至少需要特定的电压才能导通,同様的,闸极电容需要一定的电压才能充电,让晶体导通。同样的,若要关断晶体,也需要释放电容器上的电荷,因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断,不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态,切换过程中可能会有短暂时间通过大电流,且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热,若控制不当,甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好,以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级,甚至会到数安培的大小,因为一般的闸极电压会在10-15V之间,切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流,例如直流-直流转换器或是大型的电动机,会将数个功率晶体并联,以提供够大的切换电流及功换功率。

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