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对于0 16cm-3左右，先镀Ti接触硅再镀上Ag形成欧姆接触。连同使用其它的反应金属，铝接触通过消耗天然氧化物中的氧来形成。硅化物很大程度上取代了铝（Al）部分因为高折射材料不太倾向于扩散到不希望的地带，特别是在随后的高温处理过程中。
复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
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孪晶是指：由两个或者两个以上同种晶体构成的﹑非平行的规则连生体。又称双晶。在构成孪晶的两个单晶体间﹐必然会有部分的对应晶面﹑对应晶棱相互平行﹐但不可能全部一一平行﹐然而它们必可通过某一反映﹑旋转180°或者反伸（倒反）的对称操作而达到彼此重合或者完全平行。
孪晶要素是用来表征孪晶中单晶体方位间的对称取向关系的假想几何要素。它包括﹕
是一个假想的平面，通过它，可使形成孪晶的两个单晶体重合或者完全平行。因此﹐孪晶面必定是两个晶体晶格中的一个相互等同且平行一致的公共面网。孪晶面的方向可用平行某晶面或者垂直于某晶带轴的形式来表示。孪晶面绝不可能平行于单晶体中的对称面﹐否则就会使两个单晶体处于完全平行的关系而构成平行连生。
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亨利六世命令公爵的管家理查·伍德维尔爵士护送杰奎塔回国，途中两人相爱，在1437年3月前秘密结婚，被处以1000英镑罚金。不久他们得到亨利六世的谅解，重返宫廷。1445年亨利六世迎娶安茹的玛格丽特，杰奎塔作为安茹的玛格丽特的叔母的姐姐，担任王后的侍从女官。1448年理查·伍德维尔受封里弗斯男爵。1455年玫瑰战争打响，杰奎塔夫妇支持兰开斯特家族，反对约克家族。
* 大女：伊丽莎白·伍德维尔，爱德华四世王后
* 二子：路易斯·伍德维尔，1450年夏因高烧早逝
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