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双花木属(Disanthus)，落叶灌木，属金缕梅科。叶片有长柄，心形或阔卵圆形，基部心形，全缘，具掌状脉；托叶线形，早落。头状花序具有2朵无柄而对生的花，花序柄短；花两性，下位，5数，苞片1片，小苞片2个，分离或结合；萼桶短杯状，萼裂5个，在花时反卷；花瓣窄带状或线状披针形，在花时向内卷曲；雄蕊5个，花丝短，花药内向，2瓣裂开；退化雄蕊5个，位于花瓣基部与雄蕊互生，卵形、细小；子房上位，2室；胚珠每室5—6个，2列着生中轴胎座的上半部；花柱2个，短而粗，柱头顶生。蒴果木质，室间裂开为2片，内果皮骨质，与外果皮分离。种子长椭圆形，大小不相等。该属内只有一个物种——双花木，分布于日本的南部山地；中国有1变种长柄双花木。
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* 郭布连次别墅。东经路1号。由天津市使用。
* 克立本别墅。东三路6号。由河北省总工会北戴河工人疗养院使用。
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为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。
在柴氏法中，工作腔（坩埚）被加热到大约1500摄氏度，这将使硅（熔点：1414摄氏度）熔化。当硅完全熔化时，末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转，坩埚以顺时针方向旋转。随后，旋转的棒被极慢地向上提升，这样，近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉，晶棒的长度可以达到1至2米，这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。
在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。
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