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为了提高半导体工业的生产效率，常常按一定标准规格来生产晶圆。早期的晶棒较小，直径通常只有几英寸。随着技术的进步，高端的制造一起开始使用200毫米甚至300毫米直径的晶圆。要准确地制造这样尺寸的晶圆，必须严格控制工作温度、旋转速度以及晶种棒的提拉速度。用于切割成晶圆的晶锭长达2米，重达几百千克。更大的晶圆可以进一步提升制造效率，这是因为利用单个晶圆能够制造出更多的芯片。这也是人们不断尝试增大硅晶圆尺寸的原因。现在，半导体工业界正在挑战450毫米级别的晶圆，计划在2012年投产。硅晶圆的典型厚度在0.2至0.75毫米之间，通过抛光技术可以使表面更加平滑，这样更适合制造积体电路。此外，通过刻出特定的纹路，晶圆还可以用来制造太阳能电池。

在柴氏法中，工作腔（坩埚）被加热到大约1500摄氏度，这将使硅（熔点：1414摄氏度）熔化。当硅完全熔化时，末端装有晶种的棒被缓慢地下放到熔融状态的硅中。棒以逆时针方向旋转，坩埚以顺时针方向旋转。随后，旋转的棒被极慢地向上提升，这样，近似圆柱体状的硅晶棒就能在下方形成。通过继续提拉，晶棒的长度可以达到1至2米，这取决于坩埚中熔融状态硅的数量。

在硅熔化前，可以向坩埚中添加硼、磷等材料，这样，拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”，对应工艺过程被称为“掺杂”，得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅，而是其他化合物（如砷化镓），同样可以使用直拉法来制备单晶材料。

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辽宁省人民委员会是1955年2月至1968年5月间中华人民共和国辽宁省的省级国家行政机关。

* 任期：1955年2月—1958年12月

* 副省长：李涛、宁武、车向忱、仇友文、黄达、刘宝田、张雪轩（1956年12月－）、王梓本（1956年12月－）、巩天民（1956年12月－）、褚凤岐（1956年12月－）

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建安十四年（209年），夏侯渊被任为行领军。后曹操征伐孙权回师，夏侯渊被派去督领诸将攻击庐江叛军雷绪，将其击溃。

建安十六年（211年）正月，太原商曜等据大陵叛，曹操以夏侯渊行征西护军职，督徐晃击之，攻落其二十余座据点，斩其帅商曜，屠大陵城。三月，曹操命司隶校尉钟繇讨伐汉中张鲁，使夏侯渊等率兵出河东，与钟繇会合。八月，夏侯渊从曹操征讨马超、韩遂等部，双方战于渭南。十月，又都督徐晃、朱灵等平隃糜、汧氐，与曹操会于安定，杨秋投降。十二月，曹操自安定回军，留夏侯渊驻守长安。

212年，曹操回到邺城，以夏侯渊行护军将军，督朱灵、路招等屯兵长安，其间击破南山贼刘雄，降服其军。又围韩遂、马超的余军梁兴于鄠，大破，斩杀梁兴，被封为博昌亭侯。马超又进围凉州刺史韦康于冀，夏侯渊前往解救，还未到，韦康已被打败。夏侯渊到达冀城二百余里前，马超来挑战，夏侯军不利。正值汧氐造反，夏侯渊引军退还。213年，马超到达汉阳，氐王千万响应，马军屯兵兴国。214年，赵衢、尹奉等密谋讨伐马超，姜叙便于卤城起兵和应。赵衢等便游说马超出兵攻击姜叙，马超出城后，赵衢等便杀死马超的妻、子。

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