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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。

20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。

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优波扇多，梵名Upaśānta，又作优波膻大、优波膻驮，较接近梵音的汉语音译应为“乌波扇德”。约生于西元三世纪顷之比丘，其事迹不详。著有《阿毗昙心论》六卷，系因法胜《阿毗昙心论》过于简略，而依之再增广而成者。《出三藏记集》卷十二列举萨婆多部记目录五十三祖中，第三十祖名为优波膻驮罗汉；又于同书之佛大跋陀罗师宗相承五十四祖中，第二十七祖名为优波膻大，此二人应皆与优波扇多为同一人。［开元释教录卷十三、阅藏知津卷十九、俱舍论法义卷一、缘山三大藏总目录卷中］

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西乡星（さいごうぼし）是明治10年（1877年）期间，适逢火星大冲，日本民众景仰西南战争中对抗政府的西乡隆盛，将当时观察到的超级火星称呼为「西乡星」。在1877年8月3日就出现「西乡星」的新闻报道，「如果用望远镜在每晚两点时观察天上出现的红星，就会发现身穿陆军军服的西乡隆盛」，而当时火星最接近地球是在9月3日。之后日本当地出版了好几款以西乡星为题材的锦绘，也受到民众欢迎，爱德华·西维斯特·莫尔斯的日记在9月8日亦有记载其事。

同时期接近火星的土星亦与桐野利秋扯上关系，称为桐野星（きりのぼし）。

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