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MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。
在2010年代，仍然有音频爱好者、音乐家（尤其是电吉他、电贝斯、哈蒙德电风琴和罗德斯电钢琴等乐器演奏者）、音频工程师和音乐制作人更喜欢基于真空管的放大器，并且认为那是“温暖的”Tube sound。
音频功率放大器的关键设计参数是频率响应、增益、噪声和失真。这些是相互依存的；增加增益通常会导致噪声和失真的不良增加。虽然负反馈实际上降低了增益，但它也减少了失真。大多数音频放大器都是属于AB类的线性放大器。
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