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早期的逆变器电路中冷阴极萤光灯没有利用负载谐振的方法,次级侧电路,都利用封闭式磁路变压器以尽量减小泄漏电感(漏感)。当时的工程师认为变压器的漏感越小越好。此外,漏感被公认为会减少次级侧变压器的输出电压,因此,当时的变压器次级侧电路的谐振频率与逆变电路的工作频率无关。这样一来,次级侧电路的谐振频率设置的比工作频率高得多,以避免对逆变电路产生不利影响。此外需要使用镇流电容器Cb来稳定冷阴极萤光灯的电流。
不久,日本的日立媒体电子公布了被称为3倍谐振电路的先进的逆变器电路,遂在世界范围内得到广泛使用。在“使用进步技术的CCFL逆变器电路”中,次级侧电路的谐振频率为初级侧操作频率的3倍。3倍谐振变压器变为平板形。因此,虽然磁路结构仍然是封闭的,但与传统的变压器相比,泄漏的磁通量要多得多。也就是说漏感值大的多。这项技术的思路是漏感值增加到一定程度,即:利用升压变压器的次级侧短路电感(图中Lk)和电容组合为谐振电路,谐振频率被设定为工操作频率的3倍,在次级侧电路产生3阶谐振波,萤光灯的电流波形为梯形。镇流电容Crb同时起到谐振电容的功能。日立媒体电子在日本公布这项发明之后,逆变器电路的转换效率得到相当大的改善,也使得升压变压器进一步缩小。这一技术的3次谐振思路已成为近年来冷阴极萤光灯集极谐振型逆变器电路的基础。该技术被应用于很多的集极谐振型逆变电路上,目前在世界范围内被广泛使用。
最新日本有一项发明,利用谐振变压器的磁相位同步耦合实现了升压变压器的戏剧性的小型化和高效率。因此,本发明的特征在于在变压器,被称为磁相位同步耦合变压器(日文:磁界调相结合トランス)。此外,这项发明大大改善了CCFL的逆变器电路的可靠性。大概从1996年左右开始,此项发明开始被广泛采用。小型化和高效率的逆变器电路推广用于笔记型电脑。高可靠性的CCFL的逆变器电路的发明,是基于使次级侧电路谐振频率和逆变器工作频率相等。
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兖国大长公主(1059年-1083年)本名不详,为北宋宋仁宗第十一皇女,母董淑妃。
嘉祐六年(1061年),封为永寿公主,后进号为荣国长公主。宋英宗即位后,在治平四年(1046年)又进封邠国大长公主。熙宁九年(1076年),改封鲁国大长公主。公主后来下嫁左领军卫大将军曹诗。公主性俭朴,对于华丽的亭台楼阁毫无兴趣。熙宁十年(1077年)夏季,发生干旱,但曹诗及族人都准备为公主庆寿,公主却说:「为了干旱,皇帝已经撤去丰盛的膳食和停止游乐,我又怎能开心的过我的生日呢?」于是撤去庆寿准备。
元丰六年(1083年)公主逝世,得年二十四,追封荆国大长公主,谥贤懿。宋徽宗追封为兖国大长公主,政和年间又改谥为贤懿恭穆大长帝姬。
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