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迪娜·迪亚·阿尤丝丁（Dinar Dyah Ayustine，10月18日），印尼女子羽毛球运动员。
2013年7月，迪娜·迪亚·阿尤丝丁出战印尼国际挑战赛，在女单决赛以2比1（13-21、21-15、21-12）击败了赛会6号种子、保加利亚的斯蒂法尼·斯托伊娃，夺得其首个国际赛冠军。同年12月，她出战印度羽毛球国际挑战赛，在女单准决赛以0比2（11-21、15-21）不敌赛会头号种子、队友的菲比·安古尼。
2014年10月，迪娜·迪亚·阿尤丝丁出战瑞士羽毛球国际赛，在女单决赛以2比3（9-11、5-11、11-7、11-9、6-11）不敌队友的哈娜·拉曼迪尼，赢得亚军。
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通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料，被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。
使用直拉法工艺制备单晶硅时，常用石英（主要成分为二氧化硅）坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果，就是器皿本身因为高温加热，将发生热分解，导致熔融状态硅中混入氧，其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外，氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度，因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代，高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器（例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目）中用于辐射加固。因此，用这样的硅制成的辐射探测器，是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中，硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
然而，氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应，这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。
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杨逢时，字景渚，号春宇，湖广荆州府江陵县人，隶荆州卫远安千户御所军籍，祖籍湖南城步，明朝政治人物。
万历四年（1576年）丙子科湖广乡试解元，万历二十年（1592年）登壬辰科第二甲第二十七名进士，治易经。初授南京户部贵州司主事、万历二十四年晋南京户部扬州钞关榷关员外郎。万历二十七年（1599年）出为广东高州府知府、万历三十二年九月擢广西提学副使、三十五年四月迁四川参政。
史书评价其潜心理学，制举艺力，追先正中，清亷且有氷镜之誉；仕宦二十年，殁之日，家不能具含敛，清望为当世第一。
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